SOITEC推出专为近红外图像传感器设计的新一代SOI衬底

据麦姆斯咨询报导，电子产业半导体材料设计和生产领导者法国Soitec公司，近日宣告发售了突破性的新一代SOI（silicon-on-insulator，绝缘体上硅）衬底，该产品是其Imager-SOI产品线的近期一代产品，专为先进设备的3D图像传感器等前端近红外图像传感应用于而设计。Soitec目前早已需要大规模获取这款成熟期的SOI晶圆，以符合客户在AR/VR（增强现实/虚拟现实）、人脸识别安防系统、先进设备的嵌入式以及其它新兴应用领域大大快速增长的3D传感和光学市场需求。

“我们近期的Imager-SOI衬底代表了公司在SOI领域的一项新的重大成就，是有效地提升近红外波段传感性能的明智自由选择，将加快推展大大快速增长的3D光学和传感市场新的应用于，”Soitec公司数字电子业务部继续执行副总裁ChristopheMaleville说道，“利用我们在超薄材料层移往方面的先进设备专有技术和普遍的生产经验，可以在SOI上构建创意的传感器设计。”使用SOI衬底的近红外图像传感器Soitec公司发售的新型SOI衬底，可以使硅基CMOS图像传感器的高分辨率运营范围精彩地拓展至近红外波段。

这款优化的SOI衬底大幅度提高了图像传感器在近红外波段的信噪比。根据Yole近期公布的《3D光学和传感-2017版》报告，2016年，3D光学和传感器件取得了显著的商业化发展，市场规模多达13亿美元。近期随着iPhoneX的大获得顺利，又呈现加快趋势，预计2018年在移动和计算出来领域将不会有大量3D光学和传感产品面市。未来五年，预计3D光学和传感器件市场的填充年增长率平均37.7%，2022年市场规模将超过90亿美元。

苹果iPhoneX3D摄像头成本分析近期，Yole旗下全资子公司SystemPlusConsulting报废了苹果iPhoneX中的3D传感TrueDepth模组。据信，其中的近红外（NIR）图像传感器之后使用了Soitec公司的SOI晶圆，SOI晶圆在提升意法半导体（STMicroelectronics）研发的近红外图像传感器的灵敏度方面充分发挥了关键作用。

ChristopheMaleville说明道：“SOI晶圆的绝缘层，功能就像一面镜子，红外光能击穿至更加深层，并且光线返主动层。有效地增加了像素内的外泄，提高的灵敏度获取了较好的影像对比。”苹果使用意法半导体的近红外图像传感器，象征物着SOI在图像传感器大规模生产方面的开始，将为Soitec等SOI晶圆制造商带给极大的市场机遇。

Soitec所掌控的核心技术SmartCutSoitec所掌控的SmartCut技术，使其不具备生产全球最差的SOI晶圆的技术实力，国际上其它SOI晶圆供应商如SunEdison（MEMC）和日本信就越SEH，也是归功于Soitec的SmartCut技术许可。SmartCut技术由Soitec和CEA-Leti（法国原子能委员会电子与信息技术实验室，世界上最重要的微电子研究实验室之一）联合开发。Soitec使该技术顺利地构建了商业化大规模生产。

现在，该技术由Soitec所享有的3000多件专利展开了森严维护。如今，大部分用作芯片生产的产业领先的SOI晶圆，都是由晶圆供应商使用SmartCut技术生产的。

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